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FLASH do mícron de M29DW323 M29DW323DT70N6 NEM componentes eletrônicos de IC TSOP48 dos circuitos integrados da memória

Categoria:
CI de circuitos integrados
Preço:
Negotiated
Método do pagamento:
T/T, Western Union
Especificações
Descrição:
IC FLASH 32MBIT PARALELO 48TSOP-M29DW323DT70N6E
Categoria:
Circuitos componente-integrados eletrônicos (IC)
Série:
FLASH NOR Memória CI de circuitos integrados
Detalhes:
Memória NOR IC 32Mb (4M x 8, 2M x 16) Paralelo 70 ns 48-TSOP Flash ic
Montando o tipo:
Montagem de superfície
Pacote:
TSOP48
Número da peça baixa:
M29DW
Frequência:
Comutação de 200kHz ~ 2,2MHz
Variação da temperatura ambiental de funcionamento:
-40°C ~ 85°C (TA)
Adicional:
A memória IC da montagem de superfície LASCA-SE
Tipo:
Interface de Memória Paralela
Substitutos:
S29JL032J70TFI010/S29JL032J70TFI310
Introdução

FLASH do mícron M29DW323 de M29DW323DT70N6E NEM componentes eletrônicos de IC TSOP48 dos circuitos integrados da memória

- Memória Flash da fonte 3V de M29DW323DT M29DW323DB 32 Mbit (4Mb x8 ou 2Mb x16, 8:24 duplo do banco, bloco de bota)

O M29DW323D é uma memória permanente de 32 Mbit (4Mb x8 ou 2Mb x16) que possa ser lida, apagado e reprogrammed. Estas operações podem ser executadas usando uma única fonte da baixa tensão (2,7 a 3.6V). Na ligação inicial os defeitos da memória a seu modo lido. O dispositivo caracteriza uma arquitetura assimétrica do bloco. O M29DW323D tem uma disposição de 8 63 os principais blocos do parâmetro e e é dividido em dois bancos, A e B, fornecendo operações duplas do banco. Ao programar ou ao apagar no banco A, leia as operações são possíveis no banco B e vice-versa. Somente um banco de cada vez é permitido estar no programa ou apaga o modo.

M29DW323D tem uns 32 extra KWord (modo x16) ou o bloco de 64 KByte (modo x8), o bloco prolongado, que pode ser alcançado usando um comando dedicado. O bloco prolongado pode ser protegido e assim que é útil para armazenar a informação de segurança.

Contudo a proteção é irreversível, protegeu uma vez a proteção não pode ser desabotoada

. Cada bloco pode ser apagado independentemente assim que é possível preservar dados válidos quando os dados velhos forem apagados.

Os blocos podem ser protegidos para impedir o programa acidental ou para apagar comandos de alterar a memória.

O programa e para apagar comandos é escrito à relação do comando da memória.

Um programa da em-microplaqueta/apaga o controlador simplifica o processo de programar ou de apagar a memória tomando de todas as operações especiais que são exigidas para atualizar os índices da memória.

O fim de um programa ou para apagar a operação pode ser detectado e todas as condições de erro identificaram.

O comando ajustado exigido para controlar a memória é consistente com os padrões de JEDEC.

Chip Enable, saída permite e escreve permite o controle de sinais a operação do ônibus da memória.

Permitem a conexão simples à maioria de microprocessadores, frequentemente sem lógica adicional.

A memória é oferecida (passo de 6x8mm, de 0.8mm) nos pacotes TSOP48 (12x20mm), e TFBGA48.

SUMÁRIO DAS CARACTERÍSTICAS:

TENSÃO DE FONTE
– VCC = 2.7V a 3.6V para o programa, apagam e lido
– VPP =12V para o programa rápido (opcional)


O „ O TEMPO DE ACESSO: 70ns


TEMPO DE PROGRAMAÇÃO DO „
– 10µs pelo byte/palavra típicos
– Programa quádruplo do byte da palavra dobro


BLOCOS DE MEMÓRIA DO „
– Disposição dupla da memória do banco: 8Mbit+24Mbit
– O parâmetro obstrui (o lugar superior ou inferior)


OPERAÇÕES DUPLAS DO „
– Leia em um programa do quando do banco ou apague em outro


O „ APAGA PARA SUSPENDER e RECOMEÇAR MODOS
– Lido e programa um outro bloco durante para apagar para suspender


O „ DESTRAVA O COMANDO DO PROGRAMA DO DESVIO
– Programação mais rápida da produção/grupo


PIN do „ VPP/WP para o PROGRAMA RÁPIDO e PARA ESCREVER - PARA PROTEGER


MODO PROVISÓRIO DO BLOCO UNPROTECTION DO „


O FLASH COMUM do „ CONECTA o código de segurança mordido 64


BLOCO DE MEMÓRIA PROLONGADA DO „
– Bloco extra usado como o bloco da segurança ou para armazenar a informações adicionais


Apoio do CONSUMO da BAIXA POTÊNCIA do „ e apoio automático


CICLOS do „ 100.000 PROGRAM/ERASE pelo BLOCO


ASSINATURA ELETRÔNICA DO „
– Fabricante Code: 0020h
– Código de dispositivo superior M29DW323DT: 225Eh
– Código de dispositivo inferior M29DW323DB: 225Fh

Especificação da PARALELA 48TSOP-M29DW323DT70N6E do FLASH 32MBIT de IC:

Catetory Componentes eletrônicos
Subcategoria
Circuitos integrados (CI)
Série
Memória
Mfr
Micron Technology Inc.
Pacote
Bandeja
Estado da parte
Obsoleto
Tipo da memória
Permanente
Formato da memória
FLASH
Tecnologia
FLASH - NEM
Tamanho de memória
32Mb (4M x 8, 2M x 16)
Relação da memória
Paralelo
Escreva o tempo de ciclo - palavra, página
70ns
Tempo de acesso
70 ns
Tensão - fonte
2.7V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamento
-40°C ~ 85°C (TA)
Montando o tipo
Montagem de superfície
Pacote/caso
48-TFSOP (0,724", largura de 18.40mm)
Pacote do dispositivo do fornecedor
48-TSOP
Número baixo do produto
M29DW323

Números do produto relacionado:

Peça de Mfr # Tecnologia Tamanho de memória Pacote do dispositivo
M29DW323DB70N6F TR FLASH - NEM 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 48-TSOP
M29DW323DT70N6F TR FLASH - NEM 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 48-TSOP
M29DW323DB5AN6F TR FLASH - NEM 256Mb (16M x 16) 48-TSOP
M29DW323DB70N3E FLASH - NEM 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 48-TSOP
M29DW323DB70N6E FLASH - NEM 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 48-TSOP
M29DW323DB70ZE6E FLASH - NEM 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 48-TFBGA (6x8)
M29DW323DB70ZE6F TR FLASH - NEM 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 48-TFBGA (6x8)
M29DW323DB7AN6F TR FLASH - NEM 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 48-TSOP
M29DW323DT70ZE6F TR FLASH - NEM 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 48-TFBGA (6x8)
M29DW323DT70ZE6E FLASH - NEM 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 48-TFBGA (6x8)
M29DW323DT70N6E FLASH - NEM 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 48-TSOP
M29DW323DB70N6E FLASH - NEM 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 48-TSOP
M29DW323DB70N6 FLASH - NEM 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 48-TSOP

Informação pedindo:


FLASH do mícron de M29DW323 M29DW323DT70N6 NEM componentes eletrônicos de IC TSOP48 dos circuitos integrados da memória

Sobre a tecnologia do mícron

O mícron faz as soluções inovativas da memória e do armazenamento que estão ajudando a conduzir de hoje a maioria de descobertas significativas e disruptivas da tecnologia, tais como a inteligência artificial, o Internet das coisas, auto-conduzindo carros, exploração do espaço medicina-uniforme personalizada. Pela abertura de caminhos de mais rápido e pelas mais maneiras eficazes de recolher, armazenar e controlar dados, estão ajudando a revolucionar e para melhorar a maneira que o mundo se comunica, se aprende e se avança.

Categorias de produto da tecnologia do mícron:

Circuitos integrados (CI)

Cartões de memória, módulos

Ótica eletrónica

Imagem para a referência:

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Classificações ambientais & da exportação

ATRIBUTO DESCRIÇÃO
Estado de RoHS ROHS3 complacente
Nível da sensibilidade de umidade (MSL) 3 (168 horas)
Estado do ALCANCE ALCANCE não afetado
ECCN 3A991B1A
HTSUS 8542.32.0071


Número da peça de IC dos circuitos integrados dos substitutos:
S29JL032J70TFI010/S29JL032J70TFI310
Nós vendemos o portfólio o mais largo da indústria de tecnologias da memória e de armazenamento: GOLE, NAND, e NEM memória CI. Com parcerias da indústria e experiência próximas das soluções da memória, nossa introspecção original dá-nos a capacidade para endereçar suas necessidades mais desafiantes.

Paralela relacionada NEM catálogo de peça instantâneo do circuito integrado:

MT28EW128ABA1HJS-0SIT
MT28EW128ABA1HPC-0SIT
MT28EW128ABA1HPN-0SIT
MT28EW128ABA1LJS-0SIT
MT28EW128ABA1LPC-0SIT
MT28EW128ABA1LPN-0SIT


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