FLASH do mícron de M29DW323 M29DW323DT70N6 NEM componentes eletrônicos de IC TSOP48 dos circuitos integrados da memória
FLASH do mícron M29DW323 de M29DW323DT70N6E NEM componentes eletrônicos de IC TSOP48 dos circuitos integrados da memória
- Memória Flash da fonte 3V de M29DW323DT M29DW323DB 32 Mbit (4Mb x8 ou 2Mb x16, 8:24 duplo do banco, bloco de bota)
O M29DW323D é uma memória permanente de 32 Mbit (4Mb x8 ou 2Mb x16) que possa ser lida, apagado e reprogrammed. Estas operações podem ser executadas usando uma única fonte da baixa tensão (2,7 a 3.6V). Na ligação inicial os defeitos da memória a seu modo lido. O dispositivo caracteriza uma arquitetura assimétrica do bloco. O M29DW323D tem uma disposição de 8 63 os principais blocos do parâmetro e e é dividido em dois bancos, A e B, fornecendo operações duplas do banco. Ao programar ou ao apagar no banco A, leia as operações são possíveis no banco B e vice-versa. Somente um banco de cada vez é permitido estar no programa ou apaga o modo.
M29DW323D tem uns 32 extra KWord (modo x16) ou o bloco de 64 KByte (modo x8), o bloco prolongado, que pode ser alcançado usando um comando dedicado. O bloco prolongado pode ser protegido e assim que é útil para armazenar a informação de segurança.
Contudo a proteção é irreversível, protegeu uma vez a proteção não pode ser desabotoada
. Cada bloco pode ser apagado independentemente assim que é possível preservar dados válidos quando os dados velhos forem apagados.
Os blocos podem ser protegidos para impedir o programa acidental ou para apagar comandos de alterar a memória.
O programa e para apagar comandos é escrito à relação do comando da memória.
Um programa da em-microplaqueta/apaga o controlador simplifica o processo de programar ou de apagar a memória tomando de todas as operações especiais que são exigidas para atualizar os índices da memória.
O fim de um programa ou para apagar a operação pode ser detectado e todas as condições de erro identificaram.
O comando ajustado exigido para controlar a memória é consistente com os padrões de JEDEC.
Chip Enable, saída permite e escreve permite o controle de sinais a operação do ônibus da memória.
Permitem a conexão simples à maioria de microprocessadores, frequentemente sem lógica adicional.
A memória é oferecida (passo de 6x8mm, de 0.8mm) nos pacotes TSOP48 (12x20mm), e TFBGA48.
SUMÁRIO DAS CARACTERÍSTICAS:
TENSÃO DE FONTE
– VCC = 2.7V a 3.6V para o programa, apagam e lido
– VPP =12V para o programa rápido (opcional)
O O TEMPO DE ACESSO: 70ns
TEMPO DE PROGRAMAÇÃO DO
– 10µs pelo byte/palavra típicos
– Programa quádruplo do byte da palavra dobro
BLOCOS DE MEMÓRIA DO
– Disposição dupla da memória do banco: 8Mbit+24Mbit
– O parâmetro obstrui (o lugar superior ou inferior)
OPERAÇÕES DUPLAS DO
– Leia em um programa do quando do banco ou apague em outro
O APAGA PARA SUSPENDER e RECOMEÇAR MODOS
– Lido e programa um outro bloco durante para apagar para suspender
O DESTRAVA O COMANDO DO PROGRAMA DO DESVIO
– Programação mais rápida da produção/grupo
PIN do VPP/WP para o PROGRAMA RÁPIDO e PARA ESCREVER - PARA PROTEGER
MODO PROVISÓRIO DO BLOCO UNPROTECTION DO
O FLASH COMUM do CONECTA o código de segurança mordido 64
BLOCO DE MEMÓRIA PROLONGADA DO
– Bloco extra usado como o bloco da segurança ou para armazenar a informações adicionais
Apoio do CONSUMO da BAIXA POTÊNCIA do e apoio automático
CICLOS do 100.000 PROGRAM/ERASE pelo BLOCO
ASSINATURA ELETRÔNICA DO
– Fabricante Code: 0020h
– Código de dispositivo superior M29DW323DT: 225Eh
– Código de dispositivo inferior M29DW323DB: 225Fh
Especificação da PARALELA 48TSOP-M29DW323DT70N6E do FLASH 32MBIT de IC:
Catetory | Componentes eletrônicos |
Subcategoria
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Circuitos integrados (CI)
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Série
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Memória
|
Mfr
|
Micron Technology Inc.
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Pacote
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Bandeja
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Estado da parte
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Obsoleto
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Tipo da memória
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Permanente
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Formato da memória
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FLASH
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Tecnologia
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FLASH - NEM
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Tamanho de memória
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32Mb (4M x 8, 2M x 16)
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Relação da memória
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Paralelo
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Escreva o tempo de ciclo - palavra, página
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70ns
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Tempo de acesso
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70 ns
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Tensão - fonte
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2.7V ~ 3.6V
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Temperatura de funcionamento
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-40°C ~ 85°C (TA)
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Montando o tipo
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Montagem de superfície
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Pacote/caso
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48-TFSOP (0,724", largura de 18.40mm)
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Pacote do dispositivo do fornecedor
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48-TSOP
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Número baixo do produto
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M29DW323
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Números do produto relacionado:
Peça de Mfr # | Tecnologia | Tamanho de memória | Pacote do dispositivo |
M29DW323DB70N6F TR | FLASH - NEM | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) | 48-TSOP |
M29DW323DT70N6F TR | FLASH - NEM | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) | 48-TSOP |
M29DW323DB5AN6F TR | FLASH - NEM | 256Mb (16M x 16) | 48-TSOP |
M29DW323DB70N3E | FLASH - NEM | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) | 48-TSOP |
M29DW323DB70N6E | FLASH - NEM | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) | 48-TSOP |
M29DW323DB70ZE6E | FLASH - NEM | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) | 48-TFBGA (6x8) |
M29DW323DB70ZE6F TR | FLASH - NEM | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) | 48-TFBGA (6x8) |
M29DW323DB7AN6F TR | FLASH - NEM | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) | 48-TSOP |
M29DW323DT70ZE6F TR | FLASH - NEM | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) | 48-TFBGA (6x8) |
M29DW323DT70ZE6E | FLASH - NEM | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) | 48-TFBGA (6x8) |
M29DW323DT70N6E | FLASH - NEM | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) | 48-TSOP |
M29DW323DB70N6E | FLASH - NEM | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) | 48-TSOP |
M29DW323DB70N6 | FLASH - NEM | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) | 48-TSOP |
Informação pedindo:
Sobre a tecnologia do mícron
O mícron faz as soluções inovativas da memória e do armazenamento que estão ajudando a conduzir de hoje a maioria de descobertas significativas e disruptivas da tecnologia, tais como a inteligência artificial, o Internet das coisas, auto-conduzindo carros, exploração do espaço medicina-uniforme personalizada. Pela abertura de caminhos de mais rápido e pelas mais maneiras eficazes de recolher, armazenar e controlar dados, estão ajudando a revolucionar e para melhorar a maneira que o mundo se comunica, se aprende e se avança.
Categorias de produto da tecnologia do mícron:
Circuitos integrados (CI)
Cartões de memória, módulos
Ótica eletrónica
Imagem para a referência:
Classificações ambientais & da exportação
ATRIBUTO | DESCRIÇÃO |
---|---|
Estado de RoHS | ROHS3 complacente |
Nível da sensibilidade de umidade (MSL) | 3 (168 horas) |
Estado do ALCANCE | ALCANCE não afetado |
ECCN | 3A991B1A |
HTSUS | 8542.32.0071 |
Número da peça de IC dos circuitos integrados dos substitutos:
S29JL032J70TFI010/S29JL032J70TFI310
Nós vendemos o portfólio o mais largo da indústria de tecnologias da memória e de armazenamento: GOLE, NAND, e NEM memória CI. Com parcerias da indústria e experiência próximas das soluções da memória, nossa introspecção original dá-nos a capacidade para endereçar suas necessidades mais desafiantes.
Paralela relacionada NEM catálogo de peça instantâneo do circuito integrado:
MT28EW128ABA1HJS-0SIT |
MT28EW128ABA1HPC-0SIT |
MT28EW128ABA1HPN-0SIT |
MT28EW128ABA1LJS-0SIT |
MT28EW128ABA1LPC-0SIT |
MT28EW128ABA1LPN-0SIT |