Enviar mensagem
Casa > produtos > Semicondutores discretos > Infineon HEXFET Power MOSFET N Canal 55V 30A DPAK IRLR3915TRPBF

Infineon HEXFET Power MOSFET N Canal 55V 30A DPAK IRLR3915TRPBF

Categoria:
Semicondutores discretos
Preço:
Negotiated
Método do pagamento:
T/T, Western Union
Especificações
Descrição:
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
Família:
Produtos de semicondutores discretos
Categoria:
Componentes Eletrônicos-MOSFET (óxido metálico)
Série:
HEXFET MOSFET (óxido metálico)
Número da peça baixa:
IRLR3915
Detalhes:
N-Channel 55 V 30A (Tc) 120W (Tc) Montagem em Superfície D-Pak
Tipo:
Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Pacote:
TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63
Montando o tipo:
Montagem de superfície
Realçar:

Infineon HEXFET Power MOSFET

,

MOSFET N Canal 55V 30A

,

55V 30A HEXFET Power MOSFET

Introdução

IRLR3915TRPBF Infineon Technologies/Retificador Internacional IOR HEXFET MOSFET Canal N 55V 30A DPAK Produtos semicondutores discretos

 

N-Channel 55 V 30A (Tc) 120W (Tc) Montagem em Superfície D-Pak

 

Descrição

Este HEXFET® Power MOSFET utiliza as mais recentes técnicas de processamento para obter uma resistência extremamente baixa por área de silício.

As características adicionais deste produto são uma temperatura de operação de junção de 175°C, velocidade de comutação rápida e classificação de avalanche repetitiva aprimorada.Esses recursos se combinam para tornar este projeto um dispositivo extremamente eficiente e confiável para uso em uma ampla variedade de aplicações.

 

Recursos :

Tecnologia de Processo Avançada Resistência Ultra Baixa 175°C Temperatura de Operação Troca Rápida Avalanche Repetitiva Permitida até Tjmax D-Pak IRLR3915PbF I-Pak IRLU3915PbF Lea

Especificações Técnicas do Produto

 

Número da peça IRLR3915TRPBF
Número da peça básica IRLR3915
RoHS da UE Em conformidade com a isenção
ECCN (EUA) EAR99
Status da peça Ativo
HTS 8541.29.00.95
Categoria
Produtos de semicondutores discretos
 
Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Mfr
Tecnologias Infineon
Series
HEXFET®
Pacote
Fita e bobina (TR)
Status da peça
Ativo
Tipo FET
Canal N
Tecnologia
MOSFET (óxido metálico)
Tensão de drenagem para a fonte (Vdss)
55 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Carga Gate (Qg) (Max) @ Vgs
92 nC @ 10 V
Vgs (Máx.)
±16V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1870 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de Energia (Máx.)
120 W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Montagem em Superfície
Pacote de dispositivos do fornecedor
D-Pak
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63
Número do produto base
IRLR3915

 

 

Infineon HEXFET Power MOSFET N Canal 55V 30A DPAK IRLR3915TRPBF

Infineon HEXFET Power MOSFET N Canal 55V 30A DPAK IRLR3915TRPBF

Infineon HEXFET Power MOSFET N Canal 55V 30A DPAK IRLR3915TRPBF

 

 

Envie o RFQ
Conservado em estoque:
MOQ:
10