IRFB4310PBF 100V 130A FET HEXFET Power Mosfet IRFB7440PBF 40V 120A
100V 130A FET HEXFET Power Mosfet
,IRFB4310PBF
,IRFB7440PBF
IRFB7440PBF 40V 120A IRFB4310PBF 100V 130A IRFB4115PBF 150v 104A Transistores TO-220AB HEXFET FETs MOSFETs
Transistores N-Channel 180A 200W Orifício de Passagem TO-220AB HEXFET FETs MOSFETs
---IRFB7440PBF 40V 120A IRFB4310PBF 100V 130A IRFB4115PBF 150v 104A
Descrição:
Este HEXFET® Power MOSFET utiliza as mais recentes técnicas de processamento para obter uma resistência extremamente baixa por área de silício.
As características adicionais deste produto são uma temperatura de operação de junção de 175°C, velocidade de comutação rápida e classificação de avalanche repetitiva aprimorada.Esses recursos se combinam para tornar este projeto um dispositivo extremamente eficiente e confiável para uso em uma ampla variedade de aplicações.
N-Canal 180A (Tc) 200W (Tc) Orifício de Passagem TO-220AB Especificação:
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Categoria
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Produtos de semicondutores discretos
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Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
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Mfr
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Tecnologias Infineon
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Series
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HEXFET®
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Pacote
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Tubo
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Tipo FET
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Canal N
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Tecnologia
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MOSFET (óxido metálico)
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Tensão de drenagem para a fonte (Vdss)
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40 V
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Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
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180A (Tc)
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Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
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10V
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
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3,7mOhm @ 75A, 10V
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Vgs(th) (Max) @ Id
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4V @ 250µA
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Carga Gate (Qg) (Max) @ Vgs
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150 nC @ 10 V
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Vgs (Máx.)
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±20V
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Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
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4340 pF @ 25 V
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Recurso FET
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-
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Dissipação de Energia (Máx.)
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200 W (Tc)
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Temperatura de operação
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-55°C ~ 175°C (TJ)
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Tipo de montagem
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Através do orifício
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Pacote de dispositivos do fornecedor
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TO-220AB
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Pacote / Estojo
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TO-220-3
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Número do produto base
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IRF1404
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| ATRIBUTO | DESCRIÇÃO |
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| Status RoHS | Compatível com ROHS3 |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Ilimitado) |
| Status do ALCANCE | REACH não afetado |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |