Transistor de canal N IRF1404ZPBF 180A 200W HEXFET FET MOSFET
Transistor de canal N IRF1404ZPBF
,180A 200W HEXFET FET MOSFET
,Transistor de canal N 180A 200W
Transistores IRF1404ZPBF N-Channel 180A 200W Orifício de Passagem TO-220AB HEXFET FETs MOSFETs
N-Canal 180A (Tc) 200W (Tc) Orifício de Passagem TO-220AB Especificação:
Categoria
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Produtos de semicondutores discretos
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Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
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Mfr
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Tecnologias Infineon
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Series
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HEXFET®
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Pacote
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Tubo
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Tipo FET
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Canal N
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Tecnologia
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MOSFET (óxido metálico)
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Tensão de drenagem para a fonte (Vdss)
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40 V
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Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
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180A (Tc)
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Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
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10V
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
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3,7mOhm @ 75A, 10V
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Vgs(th) (Max) @ Id
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4V @ 250µA
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Carga Gate (Qg) (Max) @ Vgs
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150 nC @ 10 V
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Vgs (Máx.)
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±20V
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Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
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4340 pF @ 25 V
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Recurso FET
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-
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Dissipação de Energia (Máx.)
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200 W (Tc)
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Temperatura de operação
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-55°C ~ 175°C (TJ)
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Tipo de montagem
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Através do orifício
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Pacote de dispositivos do fornecedor
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TO-220AB
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Pacote / Estojo
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TO-220-3
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Número do produto base
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IRF1404
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Descrição
Este HEXFET® Power MOSFET utiliza as mais recentes técnicas de processamento para obter uma resistência extremamente baixa por área de silício.
As características adicionais deste produto são uma temperatura de operação de junção de 175°C, velocidade de comutação rápida e classificação de avalanche repetitiva aprimorada.Esses recursos se combinam para tornar este projeto um dispositivo extremamente eficiente e confiável para uso em uma ampla variedade de aplicações.
ATRIBUTO | DESCRIÇÃO |
---|---|
Status RoHS | Compatível com ROHS3 |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Ilimitado) |
Status do ALCANCE | REACH não afetado |
ECCN | EAR99 |
HTSUS |
8541.29.0095 |
Número da peça | IRF1404ZPBF |
Número da peça básica | IRF1404 |
RoHS da UE | Em conformidade com a isenção |
ECCN (EUA) | EAR99 |
Status da peça | Ativo |
HTS | 8541.29.00.95 |