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IHW30N160R2 Transistor IGBT H30R1602 Semicondutor de potência

Categoria:
Semicondutores discretos
Preço:
Negotiated
Método do pagamento:
T/T, Western Union
Especificações
Descrição:
IGBT NPT, Parada de Campo de Vala 1600 V 60 A 312 W Orifício de Passagem PG-TO247-3-1
Família:
Produtos de semicondutores discretos
Categoria:
Componentes Eletrônicos - Transistores IGBTs
TIPO IGBT:
NPT, Parada de Campo de Trincheira
Número da peça baixa:
H30R1602
Detalhes:
IGBT 1600V 60A 312W TO247-3
Aplicações:
Cozimento indutivo ,Aplicações de comutação suave
Pacote:
TO247
Montando o tipo:
Através do furo
Realçar:

Transistor IGBT IHW30N160R2

,

Semicondutor de potência H30R1602

,

IHW30N160R2

Introdução

IHW30N160R2 Transistores IGBTs H30R1602 Série de comutação suave Semicondutores de potência IC IHW30N160R2FKSA1Série de comutação suave

 

Formulários:
• Cozimento Indutivo
• Aplicativos de comutação suave

 

Descrição:

TrenchStop® Reverse Conducting (RC-)IGBT com diodo de corpo monolítico
Recursos:
• Diodo de corpo monolítico poderoso com tensão direta muito baixa
• O diodo do corpo prende as tensões negativas
• A tecnologia Trench and Fieldstop para aplicações de 1600 V oferece:
- distribuição de parâmetros muito apertada
- alta robustez, comportamento estável à temperatura
• A tecnologia NPT oferece fácil capacidade de comutação paralela devido a
coeficiente de temperatura positivo em VCE(sat)
• Baixa EMI
• Qualificado de acordo com JEDEC1
para aplicativos de destino
• Chapeamento de chumbo sem Pb;Compatível com RoHS

 

Especificação: IGBT NPT, Parada de Campo de Trincheira 1600 V 60 A 312 W Orifício de Passagem PG-TO247-3-1

Número da peça IHW30N160R2
Categoria
Produtos de semicondutores discretos
 
Transistores - IGBTs - Simples
Series
TrenchStop®
Pacote
Tubo
Tipo IGBT
NPT, Parada de Campo de Trincheira
Voltagem - Avaria do Emissor do Coletor (Máx.)
1600 V
Corrente - Coletor (Ic) (Máx.)
60A
Corrente - Coletor Pulsado (Icm)
90A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2,1 V @ 15 V, 30 A
Potência - Máx.
312 W
Energia de comutação
4,37mJ
Tipo de entrada
Padrão
Taxa de Portão
94 nC
Td (ligado/desligado) @ 25°C
-/525ns
Condição de teste
600V, 30A, 10Ohm, 15V
Temperatura de operação
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Através do orifício
Pacote / Estojo
TO-247-3
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO247-3-1

 

Classificações Ambientais e de Exportação
ATRIBUTO DESCRIÇÃO
Status RoHS Compatível com ROHS3
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Ilimitado)
Status do ALCANCE REACH não afetado
ECCN EAR99
HTSUS

8541.29.0095

 

Número da peça IHW30N160R2FKSA1
Número da peça básica IHW30N160R2
RoHS da UE Em conformidade com a isenção
ECCN (EUA) EAR99
Status da peça Ativo
HTS 8541.29.00.95

IHW30N160R2 Transistor IGBT H30R1602 Semicondutor de potênciaIHW30N160R2 Transistor IGBT H30R1602 Semicondutor de potência

 

IHW30N160R2 Transistor IGBT H30R1602 Semicondutor de potência

 

Suplentes (1):
 
IXGH24N170 IXYS
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