60V 10.8A diodos transistores FETS DMT6009LSS-13 MOSFET único canal N
60V 10.8A diodos transistores
,DMT6009LSS-13
,transistores FETS DMT6009LSS-13
DMT6009LSS-13 únicos transistor do canal 60V 10.8A do MOSFET N
Semicondutor discreto do MOSFET N-CH 60V 10.8A 8SO T&R 2 dos FETS
Especificação DMT6009LSS-13:
| Número da peça | DMT6009LSS-13 |
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Categoria
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Produtos de semicondutor discretos
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Transistor - FETs, MOSFETs - únicos
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Mfr
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Diodos incorporados
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Série
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-
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Pacote
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Fita & carretel (TR)
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Estado da parte
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Ativo
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Tipo do FET
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N-canal
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Tecnologia
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MOSFET (óxido de metal)
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Drene à tensão da fonte (Vdss)
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60 V
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Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C
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10.8A (Ta)
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Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On)
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4.5V, 10V
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RDS (máximo) @ na identificação, Vgs
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9.5mOhm @ 13.5A, 10V
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Identificação de Vgs (th) (máximo) @
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2V @ 250µA
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Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs
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33,5 nC @ 10 V
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Vgs (máximo)
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±20V
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Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds
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1925 PF @ 30 V
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Característica do FET
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-
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Dissipação de poder (máxima)
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1.25W (Ta)
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Temperatura de funcionamento
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Montando o tipo
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Montagem de superfície
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Pacote do dispositivo do fornecedor
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8-SO
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Pacote/caso
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8-SOIC (0,154", largura de 3.90mm)
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Número baixo do produto
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DMT6009
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Produtos relacionados:
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