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MOSFET IC do poder de BSC070N10NS3GATMA1 Infineon OptiMOS

Detalhes do produto:
Lugar de origem: Malásia
Marca: Infineon
Certificação: ROHS
Número do modelo: BSC070N10NS3GATMA1
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: 1pieces
Preço: Negotiated
Detalhes da embalagem: Carretel
Tempo de entrega: 5 dias de trabalho
Termos de pagamento: T/T, Western Union
Habilidade da fonte: 5000pcs

Informação detalhada

Descrição: MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8 Detalhes: N-Canal 100 V 90A (Tc) 114W (Tc) Montagem em Superfície PG-TDSON-8-1
Nome de produtos: Circuitos integrados (IC) Categoria: componentes eletrônicos
Família de IC: Transistores de produtos semicondutores discretos - FETs, MOSFETs - Simples O outro nome: BSC070
Pacote: TDSON8 Estado sem chumbo: RoHS complacente, PB livre, sem chumbo
Realçar:

BSC070N10NS3GATMA1

,

MOSFET do poder de Infineon OptiMOS

,

BSC070N10NS3GATMA1 Infineon OptiMOS

Descrição de produto

N-canal 100 V 90A 114W PG-TDSON-8 IC do MOSFET do poder de OptiMOS de 07N10NS BSC070N10NS3GATMA1 Infineon

Descrição:

Os MOSFETs do poder do 100V OptiMOS™ de Infineon oferecem soluções superiores para a eficiência elevada, poder-densidade alta SMPS.

Comparado à melhor tecnologia seguinte esta família consegue uma redução de 30% em ambos os R DS (sobre) e em FOM (figura de mérito).

Aplicações potenciais:
Correção síncrono para AC-DC SMPS
Controlo do motor para os sistemas 48V-80V (isto é veículos, ferramentas elétricas, caminhões domésticos)
Conversores isolados de DC-DC (telecomunicações e sistemas do datacom
Interruptores e interruptores do anel-O nos sistemas 48V
Amplificadores audio da classe D
Fontes de alimentação Uninterruptable (UPS)

Sumário das características:
Desempenho de comutação excelente
O mais baixo R DS do mundo (sobre)
Baixo gd mesmo de Q g e de Q
Produto excelente da carga x R DS da porta (sobre) (FOM)
Complacente-halogênio de RoHS livre
MSL1 avaliou 2

Benefícios

A favor do meio ambiente
Eficiência aumentada
Densidade de poder o mais alto
Menos paralelização exigida
O consumo o menor do placa-espaço
produtos do Fácil-à-projeto

Especificações:

Categoria
 
Transistor - FETs, MOSFETs - únicos
Mfr
Infineon Technologies
Série
OptiMOS™
Pacote
Fita & carretel (TR)
Estado da parte
Ativo
Tipo do FET
N-canal
Tecnologia
MOSFET (óxido de metal)
Drene à tensão da fonte (Vdss)
100 V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C
90A (Tc)
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs
7mOhm @ 50A, 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @
3.5V @ 75µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (máximo)
±20V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds
4000 PF @ 50 V
Característica do FET
-
Dissipação de poder (máxima)
114W (Tc)
Temperatura de funcionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo
Montagem de superfície
Pacote do dispositivo do fornecedor
PG-TDSON-8-1
Pacote/caso
8-PowerTDFN
Número baixo do produto
BSC070
Parametrics BSC070N10NS3G
Ciss 3000 PF
Coss 520 PF
Identificação (@25°C) máximo 90 A
IDpuls máximo 360 A
Minuto da temperatura de funcionamento máximo -55 °C do °C 150
Ptot máximo 114 W
Pacote SuperSO8 5x6
Polaridade N
QG (tipo @10V) 42 nC
RDS (sobre) (@10V) máximo mΩ 7
Rth 1,1 K/W
VDS máximo 100 V
Minuto de VGS (th) máximo 2,7 V 2 V 3,5 V

MOSFET IC do poder de BSC070N10NS3GATMA1 Infineon OptiMOS

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