MOSFET IC do poder de BSC070N10NS3GATMA1 Infineon OptiMOS
BSC070N10NS3GATMA1
,MOSFET do poder de Infineon OptiMOS
,BSC070N10NS3GATMA1 Infineon OptiMOS
N-canal 100 V 90A 114W PG-TDSON-8 IC do MOSFET do poder de OptiMOS de 07N10NS BSC070N10NS3GATMA1 Infineon
Descrição:
Os MOSFETs do poder do 100V OptiMOS™ de Infineon oferecem soluções superiores para a eficiência elevada, poder-densidade alta SMPS.
Comparado à melhor tecnologia seguinte esta família consegue uma redução de 30% em ambos os R DS (sobre) e em FOM (figura de mérito).
Aplicações potenciais:
Correção síncrono para AC-DC SMPS
Controlo do motor para os sistemas 48V-80V (isto é veículos, ferramentas elétricas, caminhões domésticos)
Conversores isolados de DC-DC (telecomunicações e sistemas do datacom
Interruptores e interruptores do anel-O nos sistemas 48V
Amplificadores audio da classe D
Fontes de alimentação Uninterruptable (UPS)
Sumário das características:
Desempenho de comutação excelente
O mais baixo R DS do mundo (sobre)
Baixo gd mesmo de Q g e de Q
Produto excelente da carga x R DS da porta (sobre) (FOM)
Complacente-halogênio de RoHS livre
MSL1 avaliou 2
Benefícios
A favor do meio ambiente
Eficiência aumentada
Densidade de poder o mais alto
Menos paralelização exigida
O consumo o menor do placa-espaço
produtos do Fácil-à-projeto
Especificações:
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Categoria
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Transistor - FETs, MOSFETs - únicos
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Mfr
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Infineon Technologies
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Série
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OptiMOS™
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Pacote
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Fita & carretel (TR)
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Estado da parte
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Ativo
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Tipo do FET
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N-canal
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Tecnologia
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MOSFET (óxido de metal)
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Drene à tensão da fonte (Vdss)
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100 V
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Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C
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90A (Tc)
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Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On)
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6V, 10V
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RDS (máximo) @ na identificação, Vgs
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7mOhm @ 50A, 10V
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Identificação de Vgs (th) (máximo) @
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3.5V @ 75µA
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Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs
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55 nC @ 10 V
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Vgs (máximo)
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±20V
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Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds
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4000 PF @ 50 V
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Característica do FET
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-
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Dissipação de poder (máxima)
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114W (Tc)
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Temperatura de funcionamento
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Montando o tipo
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Montagem de superfície
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Pacote do dispositivo do fornecedor
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PG-TDSON-8-1
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Pacote/caso
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8-PowerTDFN
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Número baixo do produto
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BSC070
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| Parametrics | BSC070N10NS3G |
| Ciss | 3000 PF |
| Coss | 520 PF |
| Identificação (@25°C) máximo | 90 A |
| IDpuls máximo | 360 A |
| Minuto da temperatura de funcionamento máximo | -55 °C do °C 150 |
| Ptot máximo | 114 W |
| Pacote | SuperSO8 5x6 |
| Polaridade | N |
| QG (tipo @10V) | 42 nC |
| RDS (sobre) (@10V) máximo | mΩ 7 |
| Rth | 1,1 K/W |
| VDS máximo | 100 V |
| Minuto de VGS (th) máximo | 2,7 V 2 V 3,5 V |