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BSC010NE2LSI OptiMOS 25V N canal de alimentação MOSFET para placa principal do carregador a bordo

Categoria:
CI de circuitos integrados
Preço:
Negotiated
Método do pagamento:
T/T, Western Union
Especificações
Aplicação:
Carregador integrado Placa-mãe Notebook DC-DC VRD/VRM LED Controle do motor
Detalhes:
BSC010NE2LSI OptiMOS 25V N-Channel Power MOSFET
Nome de produtos:
Circuitos integrados (IC)
Categoria:
componentes eletrônicos
Família de IC:
Transistores de produtos semicondutores discretos - FETs, MOSFETs - Simples
O outro nome:
BSC010
Pacote:
TDSON8
Estado sem chumbo:
RoHS complacente, PB livre, sem chumbo
Realçar:

OptiMOS 25V N canal de potência MOSFET

,

BSC010NE2LSI N canal de potência MOSFET

,

BSC010NE2LSI OptiMOS 25V

Introdução

BSC010NE2LSI OptiMOS 25V N-Channel Power MOSFET para carregador a bordo Mainboard Notebook DC-DC VRD/VRM LED Motor control

 

Formulários:

Carregador de bordo
Placa-mãe
Caderno
DC-DC
VRD/VRM
LIDERADA
Controle motor

Com a família de produtos OptiMOS™ 25V, a Infineon estabelece novos padrões em densidade de potência e eficiência energética para MOSFETs de potência discreta

e sistema no pacote.Porta ultra baixa e carga de saída, juntamente com a menor resistência no estado em pacotes pequenos,

tornam o OptiMOS™ 25V a melhor escolha para os exigentes requisitos de soluções de reguladores de tensão em servidores, comunicação de dados e aplicativos de telecomunicações.Disponível na configuração halfbridge (estágio de potência 5x6).

 

Benefícios:

 

Economize custos gerais do sistema reduzindo o número de fases em conversores multifásicos
Reduza as perdas de energia e aumente a eficiência para todas as condições de carga
Economize espaço com pacotes menores como CanPAK™, S3O8 ou solução de sistema em pacote
Minimize a EMI no sistema tornando as redes externas de snubber obsoletas e os produtos fáceis de projetar.

 

 

BSC010NE2LSI OptiMOS 25V N canal de alimentação MOSFET para placa principal do carregador a bordo

 

Especificações:

Categoria
Produtos de semicondutores discretos
 
Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Mfr
Tecnologias Infineon
Series
OptiMOS™
Pacote
Fita e bobina (TR)
Status da peça
Ativo
Tipo FET
Canal N
Tecnologia
MOSFET (óxido metálico)
Tensão de drenagem para a fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3,5V @ 75µA
Carga Gate (Qg) (Max) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (Máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
4000 pF @ 50 V
Recurso FET
-
Dissipação de Energia (Máx.)
114 W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Montagem em Superfície
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TDSON-8-1
Pacote / Estojo
8-PowerTDFN
Número do produto base
BSC070
Paramétricos BSC070N10NS3G
Ciss 3000 pF
Coss 520 pF
ID (@25°C) máx. 90A
IDpuls max 360A
Temperatura de operação mín. máx. -55°C 150°C
Ptot max 114 W
Pacote SuperSO8 5x6
Polaridade N
QG (tipo @10V) 42 nC
RDS (ligado) (@10V) máx. 7 mΩ
Rth 1,1 K/W
VDS máx. 100 V
VGS(th) mín. máx. 2,7 V 2 V 3,5 V

BSC010NE2LSI OptiMOS 25V N canal de alimentação MOSFET para placa principal do carregador a bordo

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