Mosfets discretos do poder dos semicondutores SIHF10N40D-E3 do transistor do canal de N
Categoria:
Semicondutores discretos
Preço:
Negotiated
Método do pagamento:
T/T, Western Union
Especificações
Detalhes:
Transistor MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Tipo:
Transistor - MOSFET do poder
Família:
Produtos de semicondutores discretos-retificador
Categoria:
componentes eletrônicos
Número da peça baixa:
SIHF10N40
Modo do canal:
Realce
Pacote:
TO220
Montando o tipo:
Através do furo
Realçar:
Mosfets do poder SIHF10N40D-E3
,Transistor do canal de N
,Semicondutores discretos SIHF10N40D-E3
Introdução
O transistor do canal dos mosfets N do poder SIHF10N40D-E3 opera-se no modo do realce
A dissipação de poder máxima do SIHF10N40D-E3 de Vishay é 33000 mW. Este transistor do MOSFET do canal de N opera-se no modo do realce.
Este transistor do MOSFET tem uma temperatura de funcionamento mínima do °C -55 e um máximo de 150 °C.
Se você precisa de amplificar tampouco ou para comutar entre sinais em seu projeto, a seguir o MOSFET do poder do SIHF10N40D-E3 de Vishay é para você.
Especificações técnicas do produto
| UE RoHS | Complacente |
| ECCN (E.U.) | EAR99 |
| Estado da parte | Ativo |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Automotivo | Não |
| PPAP | Não |
| Categoria de produto | MOSFET do poder |
| Configuração | Único |
| Modo do canal | Realce |
| Tipo de canal | N |
| Número de elementos pela microplaqueta | 1 |
| Tensão máxima da fonte do dreno (v) | 400 |
| Tensão de fonte de porta máxima (v) | ±30 |
| Tensão máxima do ponto inicial da porta (v) | 5 |
| Dreno contínuo máximo (a) atual | 10 |
| Corrente máxima do escapamento da fonte da porta (nA) | 100 |
| IDSS máximo (A) | 1 |
| Resistência máxima da fonte do dreno (MOhm) | 600@10V |
| Carga típica @ Vgs da porta (nC) | 15@10V |
| Carga típica @ 10V da porta (nC) | 15 |
| Capacidade entrada típica @ Vds (PF) | 526@100V |
| Dissipação de poder máxima (mW) | 33000 |
| Tempo de queda típico (ns) | 14 |
| Tempo de elevação típico (ns) | 18 |
| Tempo de atraso típico da volta-Fora (ns) | 18 |
| Tempo de atraso de ligação típico (ns) | 12 |
| Temperatura de funcionamento mínima (°C) | -55 |
| Temperatura de funcionamento máximo (°C) | 150 |
| Pacote do fornecedor | TO-220FP |
| Pin Count | 3 |
| Nome do pacote padrão | TO-220 |
| Montagem | Através do furo |
| Altura do pacote | 16,12 (máximo) |
| Comprimento do pacote | 10,63 (máximo) |
| Largura do pacote | 4,83 (máximo) |
| O PWB mudou | 3 |
| Aba | Aba |
| Forma da ligação | Através do furo |
| Número da peça | SIHF10N40D-E3 |
| Número da peça baixa | SIHF10N40 |
| UE RoHS | Complacente com isenção |
| ECCN (E.U.) | EAR99 |
| Estado da parte | Ativo |
| HTS | 8541.29.00.95 |
Mais número da peça para o semicondutor geral:
| Número da peça | MFG | Tipo de Packge |
| JW1060 | JuWell | SOP8-E |
| SL1053 | SILAN | SOP8 |
| ST8550D | ST | TO-92 |
| SS8050DBU | ST | TO-92 |
| PC847 | FAIRCHILD | DIP-16 |
| PC817A | FAIRCHILD | DIP-4 |
| PC123F | AFIADO | DIP-4 |
| OB2353 | OB | SOP-8 |
| NE555P | ST | DIP-8 |
| MC34063 | EM | SOP-8 |
| LM7806 | ST | TO-220 |
| LM78051A | ST | CONCESSÃO |
| LM358 | ST | SOP-8 |
| LM339 | ST | CONCESSÃO |
| LM324 | ST | SO-14 (SMD) |
| LM2575T | ST | TO-220 |
| LM 7815 | ST | TO-220 |
| LL4148-GS08 | ST | LL34 |
| L7812CV | ST | TO-220 |
| KA78M09 | FAIRCHILD | TO-252 |
| IRFZ44V2A | IR | TO-220 |
| IRFP460 | IR | TO-247 |
| IRF840 | IR | TO-220 |
| HEF4013 | PHILIPS | SOP-14 |
| FQPF12N60C | FAIRCHILD | TO-220F |
| DTC143ZUAT106 | ROHM | SOT-323 |
| DINS4 | SHINDENGEN | DIP-2 |
| IRFR9024N | IR | TO-252N |
| BAV99 | Philip | SOT-23 |
| BA033ST | ROHM | SOT252 |
| AM5888SL/F | AMTEL | HSOP-28 |
| 93LC66B | MICROCHIP | DIP-8 |
| 93LC46 | MICROCHIP | DIP-8 |
| 93C46B | MICROCHIP | SOP-8 |
| 78L05 | ST | TO-92 |
| 78L05 | ST | SOT89 |
| 74HC4066D | Philip | SMD |
| 74HC4066 | PHILIPS | SO-14 |
| 74HC164 | Philip | CONCESSÃO |
| 24LC128 | MICROCHIP | DIP-8 |
| 24LC08B | MICROCHIP | DIP-8 |
| 1N5822-B | diodos inc | DO-201AD |
| MC1413DR2G | No semicondutor | SOP-16 |
| HEF4069 | Philip | SO-14 (MOTOROLA) |
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