Semicondutores discretos BJT do transistor bipolar de PBHV8540X PBHV8540 Nexperia
PBHV8540X
,PBHV8540
,Transistor bipolar de Nexperia BJT
Transistor bipolar 500V 0,5 de PBHV8540X PBHV8540 Nexperia (BJT) UM NPN transistor de alta tensão de NPN um baixo VCEsat (BISS)
Transistor de alta tensão discreto dos produtos-Um NPN baixo VCEsat do semicondutor (BISS)
Descrição:
Descoberta de alta tensão de NPN baixa VCEsat no transistor pequeno do sinal (BISS) (SC-62) em um poder SOT89 médio e ligação lisa em um pacote plástico Superfície-montado do dispositivo (SMD). Complemento de PNP: PBHV9040X.
Aplicação:
• Motorista do diodo emissor de luz para o módulo da corrente do diodo emissor de luz
• Backlighting do LCD
• Gestão automotivo do motor
• Interruptor do gancho para telecomunicações prendidas
• Fonte de alimentação do modo do interruptor (SMPS)
Características:
• Alta tensão
• Baixa tensão de saturação VCEsat do coletor-emissor
• Capacidade alta IC e ICM da corrente de coletor
• HFE alto do ganho atual de coletor em IC alto
• AEC-Q101 qualificou
Versão da descrição do nome
Pacote superfície-montado plástico de PBHV8540X SOT89; morre a almofada para a boa transferência térmica; 3 ligações
Especificações técnicas do produto
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Categoria
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Produtos de semicondutor discretos
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Transistor - bipolares (BJT) - únicos
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Mfr
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Nexperia EUA Inc.
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Estado da parte
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Ativo
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Tipo do transistor
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NPN
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Atual - coletor (CI) (máximo)
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500 miliampères
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Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima)
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400 V
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Saturação de Vce (máxima) @ Ib, CI
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250mV @ 60mA, 300mA
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Atual - interrupção do coletor (máxima)
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100nA
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Ganho atual de C.C. (hFE) (minuto) @ CI, Vce
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100 @ 50mA, 10V
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Poder - máximo
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520 mW
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Frequência - transição
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30MHz
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Temperatura de funcionamento
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150°C (TJ)
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Montando o tipo
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Montagem de superfície
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Pacote/caso
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TO-243AA
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Pacote do dispositivo do fornecedor
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SOT-89
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Número baixo do produto
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PBHV8540
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| Número da peça | PBHV8540X, 115 |
| UE RoHS | Complacente com isenção |
| ECCN (E.U.) | EAR99 |
| Estado da parte | Ativo |
| HTS | 8541.29.00.95 |
Imagens: