FETs dos transistor do MOSFET 49V 80A do N-canal de BTS282Z E3230 TO220-7
FETs dos transistor de 49V 80A
,FETs dos transistor do MOSFET do N-canal
FETs dos transistor do MOSFET 49V 80A do N-canal de BTS282Z E3230 TO220-7
MOSFET do poder BTS282ZE3230AKSA2 de Infineon Technologies. Sua dissipação de poder máxima é 300000 mW.
A fim assegurar as peças não são danificados pelo empacotamento de maioria, este produto vem no tubo que empacota para adicionar um pouco de mais
proteção armazenando as peças fracas em um tubo exterior.
Este transistor do MOSFET tem uma variação da temperatura de funcionamento do °C -40 aos 175 °C.
Este transistor do MOSFET do canal de N opera-se no modo do realce.
Especificação:
Categoria
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Produtos de semicondutor discretos
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Transistor - FETs, MOSFETs - únicos
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Mfr
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Infineon Technologies
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Série
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TEMPFET®
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Pacote
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Tubo
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Estado da parte
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Obsoleto
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Tipo do FET
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N-canal
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Tecnologia
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MOSFET (óxido de metal)
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Drene à tensão da fonte (Vdss)
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49 V
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Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C
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80A (Tc)
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Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On)
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4.5V, 10V
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RDS (máximo) @ na identificação, Vgs
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6.5mOhm @ 36A, 10V
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Identificação de Vgs (th) (máximo) @
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2V @ 240µA
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Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs
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232 nC @ 10 V
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Vgs (máximo)
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±20V
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Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds
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4800 PF @ 25 V
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Característica do FET
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Temperatura que detecta o diodo
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Dissipação de poder (máxima)
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300W (Tc)
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Temperatura de funcionamento
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-40°C ~ 175°C (TJ)
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Montando o tipo
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Através do furo
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Pacote do dispositivo do fornecedor
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P-TO220-7-230
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Pacote/caso
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TO-220-7
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ATRIBUTO | DESCRIÇÃO |
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Estado de RoHS | ROHS3 complacente |
Nível da sensibilidade de umidade (MSL) | 1 (ilimitado) |
Estado do ALCANCE | ALCANCE não afetado |
ECCN | EAR99 |
HTSUS |
8541.29.0095 |
Número da peça | BTS282Z E3230 |
Número da peça baixa | BTS282Z |
UE RoHS | Complacente com isenção |
ECCN (E.U.) | EAR99 |
Estado da parte | Ativo |
HTS | 8541.29.00.95 |