Circuitos integrados do FLASH 48VQFN de IC MCU 32BIT 256KB do microchip de ATSAMD51G18A-MU
IC de microchip ATSAMD51G18A-MU
,48VQFN Circuitos integrados
,MCU IC 32BIT 256KB FLASH
Circuitos integrados do FLASH 48VQFN de IC MCU 32BIT 256KB do microchip de ATSAMD51G18A-MU
Microcontroladores do BRAÇO - FLASH 4 de MCU 120MHZ 256KB 8 QFN
FLASH 48QFN DE IC MCU 32BIT 256KB
FLASH de 32 bits 48-QFN do Único-núcleo 120MHz 256KB de IC do microcontrolador da série de ARM® Cortex®-M4F (256K x 8) (7x7)
Especificação de ATSAMD51G18A-MU:
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Categoria
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Circuitos integrados (CI)
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Encaixado - microcontroladores
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Mfr
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Tecnologia do microchip
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Série
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SAM D51
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Pacote
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Bandeja
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Estado do produto
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Ativo
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Processador do núcleo
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ARM® Cortex®-M4F
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Tamanho de núcleo
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Único-núcleo de 32 bits
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Velocidade
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120MHz
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Conectividade
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EBI/EMI, ² C de I, IrDA, LINbus, MMC/SD, QSPI, SPI, UART/USART, USB
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Periféricos
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A baixa de pressão detecta/restauração, acesso direto da memória, ² S de I, POR, PWM
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Número de I/O
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37
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Tamanho de memória do programa
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256KB (256K x 8)
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Tipo da memória do programa
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FLASH
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Tamanho de EEPROM
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-
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RAM Size
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128K x 8
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Tensão - fonte (Vcc/Vdd)
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1.71V ~ 3.63V
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Conversores de dados
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A/D 20x12b; D/A 2x12b
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Tipo do oscilador
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Interno
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Temperatura de funcionamento
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-40°C ~ 85°C (TA)
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Montando o tipo
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Montagem de superfície
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Pacote/caso
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48-VFQFN expôs a almofada
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Pacote do dispositivo do fornecedor
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48-QFN (7x7)
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Número baixo do produto
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ATSAMD51
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Características:
Condições operacionais:
• 1.71V a 3.63V, -40°C a +125°C, C.C. a 100 megahertz
• 1.71V a 3.63V, -40°C a +105°C, C.C. a 120 megahertz
• 1.71V a 3.63V, -40°C a +85°C, C.C. a 120 megahertz
Núcleo: Braço Cortex-M4 de 120 megahertz
• 403 CoreMark® em 120 megahertz
• 4 KB combinaram o esconderijo da instrução e o esconderijo dos dados
• unidade da proteção de memória 8-Zone (MPU)
• Grupo de instrução Thumb®-2
• Trace Module encaixado (ETM) com o córrego do traço da instrução
• Núcleo Trace Buffer encaixado vista (ETB)
• Trace Port Interface Unit (TPIU)
• Unidade da vírgula flutuante (FPU)
Memórias
• 1 instantâneo auto-programável do em-sistema de MB/512 KB/256 KB com:
– Código de correção de erros (CCE)
– O banco duplo com Ler-Enquanto que-escreve o apoio (RWW)
– Emulation do hardware de EEPROM (SmartEEPROM)
• 128 KB, 192 KB, uma memória central de 256 KB SRAM
– 64 KB, 96 KB, 128 KB da opção de correção de erros de RAM do código (CCE)
• Até 4 KB da memória firmemente acoplada (TCM)
• Até 8 KB SRAM adicional
– Pode ser retido no modo alternativo
• Oito registros alternativos de 32 bits
Sistema
• Poder-na detecção da restauração (POR) e da baixa de pressão (CORPO)
• Opções internas e externos do pulso de disparo
• Controlador de interrupção externo (EIC)
• 16 interrupções externos
• Uma interrupção non-maskable
• o fio de série do Dois-pino elimina erros (SWD) da programação, do teste, e relação da eliminação de erros
Fonte de alimentação
• Inativo, à espera, hibernar, alternativo, e fora dos modos de sono
• Periféricos SleepWalking
• Apoio alternativo de bateria
• Regulador encaixado de Buck/LDO que apoia a seleção on-the-fly
Classificações ambientais & da exportação
| ATRIBUTO | DESCRIÇÃO |
|---|---|
| Estado de RoHS | ROHS3 complacente |
| Nível da sensibilidade de umidade (MSL) | 3 (168 horas) |
| Estado do ALCANCE | ALCANCE não afetado |
| ECCN | 3A991B1A |
| HTSUS | 8542.32.0071 |