Montagem de superfície SOT-523 do Mosfet do N-canal dos diodos de DMN26D0UT-7 DMN26
Categoria:
Componentes eletrônicos
Preço:
Negotiated
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Especificações
Detalhes:
Montagem SOT-523 da superfície 300mW do mosfet 20 V 230mA do N-canal (Ta) (Ta)
Família:
MOSFET N-CH 20V 230MA SOT523
Categoria:
Componente-Mosfet eletrônico
Pacote:
SOT523
Tipo:
Transistores de produtos semicondutores discretos - FETs, MOSFETs - Simples
Temperatura de funcionamento:
-55°C ~ 150°C (TA)
Montando o tipo:
Montagem de superfície
Número da peça baixa:
dmn26
Realçar:
DMN26 Mosfet do canal dos diodos N
,Componentes DMN26D0UT-7 eletrônicos
,Montagem da superfície do Mosfet do canal de N
Introdução
Montagem de superfície SOT-523 do mosfet do N-canal dos diodos de DMN26D0UT-7 DMN26
Montagem SOT-523 da superfície 300mW do N-canal 20 V 230mA (Ta) (Ta)
Especificação: MOSFET N-CH 20V 230MA SOT523
|
Categoria
|
|
|
Transistor - FETs, MOSFETs - únicos
|
|
|
Mfr
|
Diodos incorporados
|
|
Série
|
MOSFET
|
|
Pacote
|
Fita & carretel (TR)
|
|
Estado do produto
|
Ativo
|
|
Tipo do FET
|
N-canal
|
|
Tecnologia
|
MOSFET (óxido de metal)
|
|
Drene à tensão da fonte (Vdss)
|
20 V
|
|
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C
|
230mA (Ta)
|
|
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On)
|
1.2V, 4.5V
|
|
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs
|
3Ohm @ 100mA, 4.5V
|
|
Identificação de Vgs (th) (máximo) @
|
1V @ 250µA
|
|
Vgs (máximo)
|
±10V
|
|
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds
|
14,1 PF @ 15 V
|
|
Característica do FET
|
-
|
|
Dissipação de poder (máxima)
|
300mW (Ta)
|
|
Temperatura de funcionamento
|
-55°C ~ 150°C (TJ)
|
|
Montando o tipo
|
Montagem de superfície
|
|
Pacote do dispositivo do fornecedor
|
SOT-523
|
|
Pacote/caso
|
SOT-523
|
|
Número baixo do produto
|
DMN26
|
Classificações ambientais & da exportação
| ATRIBUTO | DESCRIÇÃO |
|---|---|
| Estado de RoHS | ROHS3 complacente |
| Nível da sensibilidade de umidade (MSL) | 3 (168 horas) |
| Estado do ALCANCE | ALCANCE não afetado |
| ECCN | 3A991A2 |
| HTSUS | 8542.31.0001 |
A maioria de transistor pequenos populares do efeito de campo do sinal
| BSS138PS, 115 | BSS138LT3G | 2N7002P, 235 |
| BSS123,215 | BSS138NH6327XTSA2 | BSS84AK, 215 |
| BSS138L | BSS138-7-F | 2N7002K-T1-E3 |
| SBSS84LT1G | BSS138W-7-F | FDN306P |
| 2N7002K | BSS123LT1G | BSS123L |
| BSS138DW-7-F | 2N7002DW-7-F | 2N7002-TP |
| 2N7002H6327XTSA2 | BSS138BKW, 115 | BSS84PWH6327XTSA1 |
| 2N7002ET1G | BSS138-TP | 2N7002K |
| BSS138W | BSS138P, 215 | BSS84AKW, 115 |
| 2N7002K-T1-E3 | 2N7002KT1G | SI2319CDS-T1-GE3 |
| BSS84LT1G | BSS138-7-F | 2N7002T-7-F |
| BSS123 | BSS138PW, 115 | 2N7002K-T1-GE3 |
| 2N7002DW-7-F | 2N7002-7-F | BSS138TA |
| 2N7002BKS, 115 | BSS138-7-F | BSS123-7-F |
| BSS138W-7-F | 2N7002,215 | BSS84W-7-F |
| 2N7002PW, 115 | BSS138K | BSS84-7-F |
| 2N7002DW | BSS138BK, 215 | 2N7002VC-7 |
| BSS138KT-TP | BSS138 | FDC658AP |
| BSS123-7-F | BSS138W-TP | 2N7002BKV, 115 |
| BSS84,215 | 2N7002P, 215 | BSS138DW-7-F |
| BSS138NH6433XTMA1 | 2N7002DWH6327XTSA1 | BSS84AKM, 315 |
| BSS123W-7-F | 2N7002 | 2N7002-G |
| 2N7002W-7-F | BSS138WH6327XTSA1 | 2N7002WT1G |
| BSS138 | BSS123NH6327XTSA1 | 2N7002-T1-E3 |
| 2N7002LT3G | 2N7002KW | 2N7002KW-TP |
| 2N7002-T1-GE3 | BSS138BKS, 115 | 2N7002AQ-7 |
| BSS84-7-F | BSS84PH6327XTSA2 | FDN5630 |
| 2N7002DW-TP | FDC5614P | BSS138AKAR |
| BSS138NH6327 | 2N7002BK, 215 | BSS84WQ-7-F |
| BSS138K-13 | 2N7002K-7 | FDN304P |
| 2N7002W | 2N7002-T1-E3 | SI2319CDS-T1-GE3 |
| FDN338P | FDN352AP | 2N7002K-TP |
| BSS123WQ-7-F | 2N7002-7-F | BSS138WH6433XTMA1 |
Envie o RFQ
Conservado em estoque:
MOQ:
1pieces