13N60es FMV13N60ES FMV30N60S1 MOSFET
fabricante:
Tecnologias Infineon
Descrição:
FMV13N60ES 600V 30A N CHANEL MOSFET FMV30N60S1 13N60ES
Categoria:
Componentes eletrônicos
Em-estoque:
Em estoque
Preço:
Negotiated
Método do pagamento:
T/T, Western Union
Método de transporte:
Expressar
Especificações
Categoria:
Componentes eletrônicos-IGBTs Transistores-MOSFET
Família:
Produtos de semicondutor discretos
Tipo:
N-CH MOSFET
Número da peça baixa:
13n60es
Detalhes:
FMV13N60ES 600V 30A N CHANEL MOSFET FMV30N60S1 13N60ES
Aplicações:
Cozimento indutivo ， Aplicações de comutação suave
Descrição:
IGBT NPT, parada de campo de trincheira 1600 V 60 a 312 W através do orifício PG-a247-3-1
Pacote:
TO220
Tipo de montagem:
Através do buraco
Introdução
FMV13N60ES 600V 30A N CHANEL MOSFET FMV30N60S1 3N60ES
Aplicações:
• Cozinha indutiva
• Aplicações de comutação suave
Especificação:FMV13N60ES 600V 30A N CHANEL MOSFET FMV30N60S1 13N60ES
| Número da parte | 13N60ES FMV13N60ES FMV30N60S1 MOSFET |
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Categoria
|
Produtos de semicondutores discretos
|
|
Transistores - IGBT - Únicos
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Série
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FMV13N60ES 600V 30A N CHANEL MOSFET FMV30N60S1 13N60ES
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Pacote
|
Tubos
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Temperatura de funcionamento
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-40°C ~ 175°C (TJ)
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Tipo de montagem
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Através do Buraco
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Embalagem / Caixa
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TO-220
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Pacote de dispositivos do fornecedor
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TO-220 3P
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Classificações ambientais e de exportação
| Atributo | Descrição |
|---|---|
| Estatuto da RoHS | Conformidade com a ROHS3 |
| Nível de sensibilidade à humidade (MSL) | 1 (Ilimitado) |
| Estatuto REACH | REACH Não afectado |
| Nomenclatura | EAR99 |
| HTSUS |
8541.29.0095 |
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Conservado em estoque:
In Stock
MOQ:
10pieces