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13N60ES FMV13N60ES FMV30N60S1 MOSFET

fabricante:
Tecnologias Infineon
Descrição:
FMV13N60ES 600V 30A N CHANEL MOSFET FMV30N60S1 13N60ES
Categoria:
Componentes eletrônicos
Em-estoque:
Em estoque
Preço:
Negotiated
Método do pagamento:
T/T, Western Union
Método de transporte:
Expressar
Especificações
Categoria:
Componentes eletrônicos-IGBTs Transistores-MOSFET
Família:
Produtos de semicondutor discretos
Tipo:
N-CH MOSFET
Número da peça baixa:
13n60es
Detalhes:
FMV13N60ES 600V 30A N CHANEL MOSFET FMV30N60S1 13N60ES
Aplicações:
Cozimento indutivo , Aplicações de comutação suave
Descrição:
IGBT NPT, parada de campo de trincheira 1600 V 60 a 312 W através do orifício PG-a247-3-1
Pacote:
TO220
Tipo de montagem:
Através do buraco
Introdução

FMV13N60ES 600V 30A N CHANEL MOSFET FMV30N60S1 3N60ES

13N60ES FMV13N60ES  FMV30N60S1 MOSFET

Applications:
• Inductive Cooking
• Soft Switching Applications

 

 

Specification:FMV13N60ES 600V 30A N CHANEL MOSFET FMV30N60S1 13N60ES

Part number 13N60ES FMV13N60ES FMV30N60S1 MOSFET
Category
Discrete Semiconductor Products
 
Transistors - IGBTs - Single
Series
FMV13N60ES 600V 30A N CHANEL MOSFET FMV30N60S1 13N60ES
Package
Tube
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-220
Supplier Device Package
TO-220 3P

 

Environmental & Export Classifications
ATTRIBUTE DESCRIPTION
RoHS Status ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
REACH Status REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

8541.29.0095

 

13N60ES FMV13N60ES  FMV30N60S1 MOSFET13N60ES FMV13N60ES  FMV30N60S1 MOSFET

 

 

 

 
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MOQ:
10pieces