Chips de CI BWCD24L-04G BWCD24M-08 BWCK1EZH-32G-X BWCL1EZC-32G-X BWCK1EZC05-64G BWCK1KZC02-64G EPOP LPDDR4X Para Smart Wear AR/VR
BWCD24L-04G BWCD24M-08 EPOP LPDDR4X IC Chips para Smart Wear AR/VR
BWCD24L-04G
BWCD24M-08G
BWCK1EZH-32G-X
A norma BWCL1EZC-32G-X
BWCK1EZC05-64G
BWCK1KZC02-64G
O ePOP combina o MMC e o Mobile LPDDR em um único pacote, com diferentes capacidades.Incluindo moagem avançada de wafers, técnicas de laminação e ligação por fios, BIWIN integra RAM e ROM num único dispositivo, o que não só melhora o desempenho e a eficiência energética,Mas também economiza espaço em placas de circuito impresso (PCB), reduzindo assim o tempo de desenvolvimento para os clientes.
O ePOP é uma solução ideal para dispositivos portáteis e vestíveis, como smartphones, tablets, PMP, PDA e outros dispositivos multimédia.
Aplicação:
Smart Wear
AR/VR
Descrição:
O ePoP LPDDR4X integra a DRAM LPDDR4X e o armazenamento eMMC 5.1 em uma solução Package-on-Package (PoP) com um pacote FBGA de 144 bolas. Com um tamanho compacto de apenas 8,00 x 9,50 mm, alcança velocidades de leitura e gravação sequenciais de até 290 MB/s e 140 MB/s, com frequência de até 4266 Mbps. O BIWIN ePoP LPDDR4X oferece capacidade de até 64 GB + 32 Gb. Trata-se de uma solução de armazenamento de última geração concebida para smartwatches de ponta. Em comparação com as gerações anteriores, esta solução apresenta um aumento de 128,6% na frequência, uma redução de 32% no tamanho e é certificada pela plataforma Qualcomm 5100.
Especificações:
| Interface | eMMC: eMMC 5.0 / eMMC 5.1 |
| LPDDR 2 / LPDDR 3: 32 bits | |
| LPDDR 4 / LPDDR 4x: 16 bits | |
| Dimensões | 10.0 × 10,00 mm (136b) |
| 8.00 × 9,50 mm (144b) | |
| 8.60 × 10,40 mm (144b) | |
| 12.00 × 13,00 mm (320b) | |
| Max. Leitura sequencial | eMMC: 320 MB/s |
| Max. Escrever sequencial | eMMC: 260 MB/s |
| Frequência | LPDDR 2 / LPDDR 3: 1200 MHz |
| LPDDR 4x: 1200 MHz - 1866 MHz | |
| Capacidade | 4 GB + 4 GB |
| 8 GB + 4 Gb / 8 GB + 8 Gb | |
| 16 GB + 8 GB | |
| 32 GB + 16 GB | |
| 64 GB + 16 GB | |
| Tensão de funcionamento | EMMC: VCC=3,3 V, VCCQ=1,8 V |
| LPDDR 2 / LPDDR 3: VDD1 = 1,8 V, VDD2 = VDDCA = VDDQ = 1,2 V | |
| LPDDR 4: VDD1 = 1,8 V, VDD2 = VDDQ = 1,1 V | |
| LPDDR 4x: VDD1 = 1,8 V, VDD2 = 1,1 V, VDDQ = 0,6 V | |
| Temperatura de funcionamento | -20°C - 85°C |
| Plataformas de verificação aprovadas | SnapDragon Wear 3100 / 5100 |
| MSM8909W... | |
| Embalagem | FBGA136 / FBGA144 / FBGA320 |
| Aplicação | Smart Wear AR/VR |
Memórias flash mais relacionadas IC:
| BWCMAQB11T08GI |
| BWCMAQB11T16GI |
| BWEFMI032GN2RJ |
| BWEFMI064GN223 |
| BWEFMI128GN223 |
| A norma BWEFMA064GN1KC |
| A norma BWEFMA128GN1KC |
| BWMZAX32H2A-16GI-X |
| BWMZCX32H2A-32GI-X |
| BWMEIX32H2A-48GI-X |
| BWMZCX32H2A-64GI-X |
| O que é isso? |
| BWLGYA004GN6ZC |
| BWLGYA006GN6EI |
| A partir de 1 de janeiro de 2014: |
BWET08U -XXG SPI (Serial Peripheral Interface) NAND Flash IC para redes de uso inteligente
BWME8X32H2A-24Gb BWMYAX32P8A-32G BWMYAX32P8A-64G CI LPDDR Para Smartphone
DMMC BGA132/BGA152/TSOP48 IC para veículo/smart phone/jogos
BWS3BTCDC-60G BWS3BTCDC-120G BGA SSD Flash IC para veículo / notebook
UFB2750K60N UFB2752Q12N-32G UFB2752Q12N-64G UFB2752Q12N-128G
BWCC2KD6-32G(32GB+32Gb) BWCC2KD6-64G(64GB+32Gb) EMCP IC BWMA24B-XXGC
| Imagem | parte # | Descrição | |
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BWET08U -XXG SPI (Serial Peripheral Interface) NAND Flash IC para redes de uso inteligente |
The industrial-grade SLC NAND Flash storage, makes up for the low capacity, high price and low speed of SPI NOR Flash
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BWME8X32H2A-24Gb BWMYAX32P8A-32G BWMYAX32P8A-64G CI LPDDR Para Smartphone |
LPDDR (stands for Low Power Double Data Rate) SDRAM is a kind of DDR, being mainly characterized by its Low Power consum
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DMMC BGA132/BGA152/TSOP48 IC para veículo/smart phone/jogos |
DMMC solution adopts a highly integrated design by adding a low-power controller to the NAND flash
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BWS3BTCDC-60G BWS3BTCDC-120G BGA SSD Flash IC para veículo / notebook |
eSSD is an embedded solid state driver solution designed in the form of TFBGA packaging
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UFB2750K60N UFB2752Q12N-32G UFB2752Q12N-64G UFB2752Q12N-128G |
BIWIN UFS Chips is a next-generation embedded memory chip
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BWCC2KD6-32G(32GB+32Gb) BWCC2KD6-64G(64GB+32Gb) EMCP IC BWMA24B-XXGC |
BIWIN eMCP Chips is based on MCP (Multi-Chip Packaging) which integrates an eMMC chip and a low-power DRAM solution into
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