BWME8X32H2A-24Gb BWMYAX32P8A-32G BWMYAX32P8A-64G CI LPDDR Para Smartphone
fabricante:
BIWIN
Descrição:
LPDDR (significa Low Power Double Data Rate) SDRAM é um tipo de DDR, sendo caracterizado principalme
Categoria:
Sensor de Posição Rotativa IC
Em-estoque:
em estoque
Preço:
Negotiated
Método do pagamento:
T/T, União Ocidental
Método de transporte:
Expressar
Especificações
Categoria:
Componentes eletrônicos-memória
Família:
BWME8X32H2A-24Gb BWMYAX32P8A-32G BWMYAX32P8A-64G LPDDR IC
Aplicação:
No veículo/smartphone/jogos
Temperatura operacional:
-20°C -85°C
Seleção de números de peças:
BWME8X32H2A-24Gb BWMYAX32P8A-32G BWMYAX32P8A-64G LPDDR IC
Especificações do produto Interface:
LPDDR (significa Low Power Double Data Rate) SDRAM é um tipo de DDR, sendo caracterizado principalme
Dimensões:
PDDR 2: 12,00 × 12,00 mm LPDDR 3: 11,50 × 11,00 mm LPDDR 4: 11,00 × 14,50 mm LPDDR 4x: 11,50 × 13,00
Tensão de trabalho:
LPDDR 2 / LPDDR 3: VDD1 = 1,8 V, VDD2 = 1,2 V, VDDCA = 1,2 V, VDDQ = 1,2 V LPDDR 4: VDD1 = 1,8 V, VD
Capacidade:
LPDDR 2: 2 Gb - 8 Gb LPDDR 3: 4 Gb - 16 Gb LPDDR 4 / LPDDR 4x: 4 Gb - 48 Gb LPDDR 5 / LPDDR 5x: 16 G
Introdução
BWME8X32H2A-24Gb BWMYAX32P8A-32G BWMYAX32P8A-64G LPDDR IC para Smart Phone
LPDDR (sigla para Low Power Double Data Rate) A SDRAM é um tipo de DDR, sendo caracterizada principalmente por seu baixo consumo de energia.
O BIWIN Low Power DDR oferece uma solução de RAM de alto desempenho e custo-benefício.O consumo de energia eficiente do LPDDR4 e a frequência mais alta o tornam uma escolha favorita para dispositivos eletrônicos contemporâneos.
Especificações:
| Interface | LPDDR 2 |
| LPDDR 3 | |
| LPDDR 4 / LPDDR 4x | |
| LPDDR 5 / LPDDR 5x | |
| Capacidade | LPDDR 2: 2 Gb - 8 Gb |
| LPDDR 3: 4 Gb - 16 Gb | |
| LPDDR 4 / LPDDR 4x: 4 Gb - 48 Gb | |
| LPDDR 5 / LPDDR 5x: 16 Gb - 64 Gb | |
| Frequência | LPDDR 2: 533 MHz |
| LPDDR 3: 933 MHz | |
| LPDDR 4 / LPDDR 4x: 1866 MHz | |
| LPDDR 5 / LPDDR 5x: 3200 MHz | |
| Tensão de funcionamento | LPDDR 2 / LPDDR 3: VDD1=1,8 V, VDD2=1,2 V, VDDCA=1,2 V, VDDQ=1,2 V |
| LPDDR 4: VDD1 = 1,8 V, VDD2 = 1,1 V, VDDQ = 1,1 V, LPDDR 4x: VDDQ = 0,6 V | |
| LPDDR 5 / LPDDR 5x: VDD1=1.70-1.95 V, 1.8 V NOM, VDD2H=1.01-1.12 V, 1.05 V NOM, VDD2L=VDD2H ou 0.87-0.97 V | |
| Plataformas de verificação aprovadas | Espalhe-se: 7731E, 9832E, 9820E, SC9850K... |
| Qualcomm: 8909... | |
| MT6580, MT6735, MT6737... | |
| HiSilicon: Hi3798MV310... | |
| B288, A50, B300... | |
| Rockchip: RK3128, RK3228, RK3229... | |
| Amlógica: S905X, S905Y2... | |
| MSO9385... | |
| Temperatura de funcionamento | -20°C - 85°C |
| Dimensões | LPDDR 2: 12,00 × 12,00 mm |
| LPDDR 3: 11,50 × 11,00 mm | |
| LPDDR 4: 11,00 × 14,50 mm | |
| LPDDR 4x: 11,50 × 13,00 mm | |
| LPDDR 5 / LPDDR 5x: 12,40 × 15,00 mm | |
| Embalagem | FBGA168 / FBGA178 / FBGA200 / FBGA315 |
| Aplicação | Telefone inteligente |
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